2024年嶺南師范學院三二分段專升本《電子信息工程技術(shù)專業(yè)理論綜合》考試大綱

2024年嶺南師范學院三二分段專升本《電子信息工程技術(shù)專業(yè)技能綜合》考試大綱已公布，大綱介紹了考試內(nèi)容、試題形式等內(nèi)容，考試時間為120分鐘，考試成績滿分為100分，閉卷考試。

嶺南師范學院 廣東松山職業(yè)技術(shù)學院

電子信息工程專業(yè)

三二分段專升本協(xié)同育人試點轉(zhuǎn)段考核

專業(yè)能力考試大綱

一、考試性質(zhì)

本考試是嶺南師范學院電子信息工程專業(yè)根據(jù)《廣東省教育廳關(guān)于做好三二分段專升本應用型人才培養(yǎng)試點項目轉(zhuǎn)段考核工作的通知》要求，面向廣東松山職業(yè)技術(shù)學院電子信息工程技術(shù)專業(yè)專升本考生而實施具有選拔性質(zhì)的考試?？荚嚤局茖W、公平、合理、有效的原則，測評考生高職階段對電子信息工程專業(yè)的基礎(chǔ)知識和基本技能的掌握程度，以保證被錄取考生掌握本專業(yè)相關(guān)必備基礎(chǔ)知識和技能，以便更好地適應電子信息工程專業(yè)本科階段學習。

二、命題原則

本考試大綱以《廣東省教育廳關(guān)于做好三二分段專升本應用型人才培養(yǎng)試點項目轉(zhuǎn)段考核工作的通知》、《嶺南師范學院-廣東松山職業(yè)技術(shù)學院2021年三二分段專升本協(xié)同育人試點電子信息工程專業(yè)轉(zhuǎn)段考核方案》等為指導，基于嶺南師范學院應用型人才培養(yǎng)目標，并結(jié)合電子信息工程專業(yè)學科特色，充分參考了相關(guān)高職院校電子信息工程技術(shù)專業(yè)人才培養(yǎng)方案、課程設(shè)置、教學及考核條件等制訂。本考試大綱緊密結(jié)合高職電子信息工程技術(shù)《模擬電子技術(shù)》、《數(shù)字電子技術(shù)》、《電子產(chǎn)品設(shè)計與裝配》、《物聯(lián)網(wǎng)單片機開發(fā)實訓》等課程內(nèi)容，注重對考生模擬電子技術(shù)、數(shù)字電子技術(shù)等基礎(chǔ)理論知識和電路設(shè)計、電路仿真、電路裝配、單片機編程等專業(yè)技能的考察，分為專業(yè)理論考核和專業(yè)技能考核兩部分。專業(yè)理論主要考核模擬電子技術(shù)、數(shù)字電子技術(shù)等內(nèi)容，專業(yè)技能主要考核電子產(chǎn)品設(shè)計與裝配、物聯(lián)網(wǎng)單片機開發(fā)實訓等內(nèi)容，本大綱是本專業(yè)轉(zhuǎn)段考核專業(yè)能力考核考試命題的依據(jù)。

三、考試形式及要求

嶺南師范學院與廣東松山職業(yè)技術(shù)學院協(xié)同育人試點電子信息工程專業(yè)轉(zhuǎn)段考核專業(yè)能力考核分專業(yè)理論和專業(yè)技能考核，專業(yè)理論考核科目為《電子信息工程技術(shù)專業(yè)理論綜合》，專業(yè)技能考核科目為《電子信息工程技術(shù)專業(yè)技能綜合》。

（一）專業(yè)理論考核

專業(yè)理論考核科目為《電子信息工程技術(shù)專業(yè)理論綜合》，主要考核內(nèi)容為高職學段模擬電子技術(shù)、數(shù)字電子技術(shù)等知識與內(nèi)容。

1、考試形式

理論閉卷。

2、考試時間

120分鐘。

3、試卷分值

總分100分，其中模擬電子技術(shù)占40%，數(shù)字電子技術(shù)占60%。

（二）專業(yè)技能考核

專業(yè)技能考核科目為《電子信息工程技術(shù)專業(yè)技能綜合》，主要考核電子產(chǎn)品設(shè)計與裝配、物聯(lián)網(wǎng)單片機開發(fā)等技術(shù)技能。

1、考試形式

封閉實操。

2、考試時間

240分鐘。

3、試卷分值

總分100分，其中電子產(chǎn)品設(shè)計與裝配占70%，物聯(lián)網(wǎng)單片機開發(fā)占30%。

4、其他要求

考核場地為實驗實訓室，考場需提供電烙鐵、螺絲刀、剪線鉗、剝線鉗、萬用表、信號發(fā)生器、示波器、鑷子等必要的工具和儀器設(shè)備。

四、考試內(nèi)容

（一）電子信息工程技術(shù)專業(yè)理論綜合

1、模擬電子技術(shù)部分

知識模塊一：半導體基礎(chǔ)

（1）半導體的導電特性：本征半導體、Ｎ型半導體和Ｐ型半導體。

（2）ＰＮ結(jié)：ＰＮ結(jié)的形成、ＰＮ結(jié)單向?qū)щ娦浴?/p>

（3）半導體二極管：基本結(jié)構(gòu)、伏安特性、主要參數(shù)。

（4）整流電路：單相半波整流電路、單相橋式整流電路。

（5）穩(wěn)壓管。

（6）半導體三極管基本結(jié)構(gòu)、電流分配和放大原理、特性曲線、主要參數(shù)。

（7）場效應管及其基本應用：場效應管的結(jié)構(gòu)、符號及其工作原理，場效應管的主要參數(shù)。

知識模塊二：放大電路基礎(chǔ)

（1）放大電路的基本知識

晶體管的放大原理，放大電路的組成，放大電路的主要性能指標和特性曲線。

（2）三種基本組態(tài)放大電路

共發(fā)射極放大電路，共集電極放大電路，共基極放大電路，場效應管放大電路。

（3）差分放大電路

輸入輸出方式，電流源類型、工作原理及應用，長尾差分電路，差模傳輸特性分析。

（4）功率放大電路

功率放大電路的特點及分類，甲乙類雙電源互補對稱功放電路。

（5）多級放大電路

多級放大電路的組成及性能指標，集成運放結(jié)構(gòu)及其基本應用電路。

知識模塊三：負反饋放大電路

（1）反饋的基本概念、正負反饋的判別方法。

（2）負反饋的類型及其判別方法、負反饋對放大電路工作性能的影響。

（3）深度負反饋放大電路特點及增益估算。

知識模塊四：集成運放應用

（1）集成運算放大器：集成運算放大器的特點、電路的簡單說明、主要參數(shù)、理想運算放大器及其分析依據(jù)。

（2）運算放大器在信號運算方面的應用：比例運算、加法運算、減法運算、積分運算、微分運算。

（3）運算放大器在信號處理方面的應用：電壓比較器。

（4）運算放大器使用注意事項。

知識模塊五：直流穩(wěn)壓電源

（1）單相整流濾波電路

單相整流電路，濾波電路。

（2）線性集成穩(wěn)壓電源

穩(wěn)壓電路的主要技術(shù)指標，串聯(lián)穩(wěn)壓電路工作原理，三端集成穩(wěn)壓器。

2、數(shù)字電子技術(shù)部分

知識模塊一：數(shù)字邏輯基礎(chǔ)知識

（1）二、十六進制及其與十進制的相互轉(zhuǎn)換以及8421BCD碼。

（2）邏輯代數(shù)基本公式與常用公式。

（3）邏輯函數(shù)的公式化簡法和卡諾圖化簡法。

（4）基本邏輯運算。

（5）邏輯函數(shù)與邏輯問題的幾種描述方法及其相互轉(zhuǎn)化。

（6）邏輯函數(shù)的基本規(guī)則。

（7）最小項與卡諾圖的概念及應用。

知識模塊二：門電路

（1）基本邏輯門電路及其符號。

（2）分立元件構(gòu)成的基本與、或、非門電路，基本TTL與非門電路分析（工作原理、帶負載能力、傳輸特性及抗干擾能力、參數(shù)）。

（3）其他類型的TTL門電路（或非門、異或門、OC門及三態(tài)門）、CMOS門電路（反相器、與非門、或非門、傳輸門及三態(tài)門）。

（4）二極管、三極管和場效應管的開關(guān)特性。

（5）集成門電路的主要參數(shù)及使用方法。

知識模塊三：組合邏輯電路

（1）組合邏輯電路的分析與設(shè)計的基本方法。

（2）常用的數(shù)字器件（編碼器、譯碼器、數(shù)據(jù)選擇器、加法器及比較器）的邏輯功能及其使用方法。

知識模塊四：觸發(fā)器

（1）五種觸發(fā)器（RS觸發(fā)器、JK觸發(fā)器、D觸發(fā)器、T觸發(fā)器、T’觸發(fā)器）的邏輯功能及其描述方法（特性表、特性方程、驅(qū)動表、狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖及時序圖）。

（2）觸發(fā)器的驅(qū)動方程和狀態(tài)方程。

知識模塊五：時序邏輯電路

（1）時序邏輯電路的基本分析方法。

（2）同步、異步時序邏輯電路的分析方法。

（3）二進制和十進制計數(shù)器的邏輯功能及使用方法。

（4）數(shù)碼寄存器和移位寄存器的邏輯功能和應用。

（5）實現(xiàn)N進制計數(shù)器的方法。

（6）同步時序邏輯電路的設(shè)計方法。

知識模塊六：脈沖產(chǎn)生和整形電路

（1）施密特觸發(fā)器。

（2）單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。

（3）多諧振蕩器。

（4）555定時器的電路結(jié)構(gòu)和工作原理。

（5）多諧振蕩器、施密特觸發(fā)器相關(guān)參數(shù)計算。

五、試卷結(jié)構(gòu)與樣卷

電子信息工程技術(shù)專業(yè)理論綜合

1、試卷結(jié)構(gòu)

（1）填空題（每空格1分，共24分）

（2）選擇題（每小題2分，共20分）

（3）判斷題（每小題1分，共14分）

（4）簡答題（每題4分，共12分）

（5）分析設(shè)計題（每題10分，共30分）

2、樣卷

《電子信息工程技術(shù)專業(yè)理論綜合》（閉卷）

（滿分：100分，用時：120分鐘）

一、填空題（每空格1分，共24分）

1.在電容濾波電路中，電容與負載電阻是連接；在電感濾波電路中，電感和負載是連接。

2.寄存器分為寄存器和寄存器兩種。

二、選擇題（每小題2分，共20分）

1.工作在線性區(qū)的運算放大器應置于的狀態(tài)是（ ）。

A、深度反饋 B、電流越來越小 C、電流越來越大 D、電流保持不變

2.N進制計數(shù)器是指該計數(shù)器（ ）。

A．有N個有效狀態(tài) B．由N個觸發(fā)器組成

C．有N個輸出端 D．有N個有效循環(huán)

三、判斷題（每小題1分，共14分）

1.鍺管的死區(qū)電壓約為0.1V。( )

2.放大電路的靜態(tài)分析是當放大電路無輸入信號時的工作狀態(tài)。( )

3.畫直流通路時，電容可視為短路。( )

四、簡答題（每題4分，共12分）

1.簡述實現(xiàn)晶體管放大的條件。（4分）

五、分析設(shè)計題（共30分）

1.現(xiàn)有一個邏輯函數(shù)如下

F(A,B,C,D) = ∑m(0,2,5,7,8,10,13,15)

請使用卡諾圖法化簡，并畫出邏輯圖。

2.如下圖所示，已知變壓器次級電壓u2=(V)，穩(wěn)壓管V7的穩(wěn)壓值UZ=2.5V，晶體管均為硅管。

（1）求整流而國際承受的最大反向電壓；

（2）說明電容C的作用，并求UI的大??；

（3）求UO的可調(diào)范圍。